Samsung создала прототип ультраплотной 900-слойной NAND-памяти
Компания Samsung представила экспериментальный прототип флеш-памяти нового поколения, который может стать серьёзным шагом вперёд в развитии SSD-накопителей.
🔹 Рекордная плотность слоёв
По данным ETNews, речь идёт о 900-слойном V-NAND-чипе, что почти втрое больше текущих лидеров рынка.
Для сравнения:
- SK Hynix — около 321 слоя
- Samsung (новый прототип) — до 900 слоёв
🔹 Как это удалось
Технология основана на подходе Cell Multi-Bonding (CMB):
два 450-слойных кристалла объединяются в единый чип.
👉 Такой метод позволил добиться рекордной плотности без критического увеличения размера.
🔹 С какими проблемами столкнулись
В процессе разработки инженеры решали две ключевые задачи:
- деформация пластин
- ошибки при наложении слоёв
После оптимизации Samsung удалось:
- снизить энергопотребление
- повысить производительность
- сохранить компактные размеры
🔹 Что дальше
Сейчас компания также готовит к массовому производству 400-слойные NAND-чипы 10-го поколения.
В гонке технологий участвуют и конкуренты, включая китайскую YMTC, уже выпускающую 232- и 294-слойные решения.
🔹 Когда ждать в продаже
Пока это только прототип.
Сроки массового производства и влияние на цены SSD пока не раскрываются.
