Корейские инженеры раскрыли планы развития чипов на 15 лет вперёд

Корейские специалисты в области микроэлектроники опубликовали долгосрочный прогноз развития полупроводниковой отрасли. Согласно новой дорожной карте, в ближайшие 15 лет индустрию ждёт серьёзный технологический рывок.

В документе Semiconductor Technology Roadmap 2026 говорится о возможном появлении чипов, изготовленных по 0,2-нм техпроцессу. Для сравнения, сегодня самым передовым решением считается 2-нм технология Gate-All-Around, которую недавно представила Samsung. Именно она легла в основу нового процессора Exynos 2600.

Переход к 0,2 нм потребует преодоления серьёзных технологических ограничений. По прогнозу инженеров, к 2040 году такие чипы будут использовать транзисторы CFET и монолитную 3D-архитектуру. Параллельно ожидается резкий рост плотности памяти: количество слоёв NAND увеличится с 321 до 2000, а техпроцесс DRAM сократится с 11 до 6 нм.

Существенный прогресс прогнозируется и для высокоскоростной памяти HBM. Её количество слоёв может вырасти с 12 до 30, а пропускная способность — с 2 до 128 ТБ/с. Отдельное внимание в дорожной карте уделено ИИ-процессорам: если сегодня их производительность составляет около 10 TOPS, то через 15 лет этот показатель может достигнуть 1000 TOPS.